PTFA082201EV1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PTFA082201EV1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA082201EV1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 869 MHz to 894 MHz Gain: 18 dB Output Power: 220 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 1.95 A Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-36260-2 Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 700 W
• Количество страниц
  10 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  261,06 KB

PTFA082201EV1 datasheet скачать

PTFA082201EV1 datasheet